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scia Systems離子束蝕刻系統scia Mill 150
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- 品牌名稱：scia Systems
- 規格型號：scia Mill 150
- 產品資料：scia Systems離子束蝕刻系統scia Mill 150.pdf
產品介紹
scia Mill 150 專為構造各種材料的復雜多層而設計。憑借其完全反應氣體兼容性，該系統還能夠以增強的選擇性和速率進行反應蝕刻工藝。由于其節省空間的設計，scia Mill 150 非常適合小規模生產和研發應用。
性能特點
- 蝕刻角度可通過可傾斜和可旋轉的基板支架進行調整
- 無需整形器即可實現好的均勻性
- 使用反應氣體增強選擇性和速率
- 使用準確的 SIMS 或光學終點檢測進行過程控制
- 載體概念可適應各種基板尺寸
- 由于良好的晶圓冷卻，可使用光刻膠掩模處理晶圓
技術參數
產地：德國
基片尺寸（max）：直徑150 mm。
基片支架：水冷，氦氣背面冷卻接觸，基片旋轉1至20 rpm，可原位傾斜0°至165°，步長0.1°
離子束源：190 mm圓形微波ECR源（MW218-e）
中和器：三重等離子橋中和器（N-3DC）
射頻等離子橋中和器（RF-PBN）
基準壓力：< 5 x 10-7 mbar
系統尺寸（寬x深x高）：1.90 m x 1.80 m x 1.75 m（不含電氣架）
配置：單腔，可選單基片負載鎖，可選OES或SIMS終點檢測
軟件接口：SECS II / GEM，OPC
典型去除率：SiO2：30 nm/min
均勻性變化：≤3 %（σ/平均值）
產品應用
磁存儲器 (MRAM) 和傳感器 (GMR、TMR) 的結構化
MEMS 生產中的金屬銑削 (Au、Ru、Ta 等)
不同金屬和介電材料多層的銑削
化合物半導體 (GaAs、GaN、InP 等) 的化學輔助離子束蝕刻 (CAIBE)
三維光電微結構的生產
用于降低微觀粗糙度的離子束平滑
用于光柵 (SiO2) 圖案轉移的反應離子束蝕刻 (RIBE)
津公網安備12010102000950號